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邁可諾技術(shù)有限公司
主營產(chǎn)品： 美國Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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閱讀：144 發(fā)布時(shí)間：2020/11/11
絕緣體上硅(SOI)晶片廣泛用于MEMS微機(jī)電系統(tǒng)和CMOS集成電路制造。在MEMS微機(jī)電系統(tǒng)中，掩埋氧化物可實(shí)現(xiàn)具有*特性的懸浮膜。本應(yīng)用中，在370-1020納米的光譜范圍內(nèi)，使用紅外掃描儀FR-Scanner對(duì)4英寸的硅化硅晶片的三層厚度進(jìn)行測繪。通過旋轉(zhuǎn)載物臺(tái)和在頂部線性移動(dòng)光學(xué)頭(極性掃描)高速掃描測樣品，并且不彎曲反射探針。掃描時(shí)間持續(xù)不到30秒，在(R，θ)位置測了169個(gè)隨機(jī)點(diǎn)。圖中，隨機(jī)點(diǎn)上所有層的典型記錄反射光譜(黑線)和擬合反射光譜(紅線)，如在FR-Monitor監(jiān)測軟件上所見，與每層的映射輪廓一起顯示。
